Физический энциклопедический словарь - структурный фактор

С. ф. определяется как сумма ат. факторов fj с учётом имеющихся пространств. сдвигов фаз между волнами, рассеянными разл. атомами:

F(h, k, l)^Nj=1exp 2(hxj+kyj+lzj)

(i=-1; h, k, l —индексы Миллера, см. Индексы кристаллографические). С. ф. связан с амплитудой рассеяния элем. ячейки кристалла. Интенсивность I(h,k,l) дифракц. максимума с индексами h, k, l пропорц. квадрату модуля соответствующего С. ф.: I(h,k,l)~|F(h,k,l) |². Отсюда следует, что по экспериментально определяемым I(h,k,l) можно найти лишь модуль С. ф. |F(h,k,l)|, так что однозначно определить С. ф. по интенсивностям дифракц. максимумов нельзя.

Связь С. ф. с индивидуальными рассеивающими св-вами каждой крист. структуры лежит в основе структурных исследований кристаллов. Так, в зависимости от симметрии расположения атомов в элем. крист. ячейке

728

в тех или иных из разрешённых Брэгга — Вульфа условием направлениях рассеянные атомами волны могут взаимно погаситься, так что интенсивности I(h,k,l) соответствующих дифракц. максимумов обращаются в нуль. По тому, какие именно дифракц. максимумы исчезли, можно (хотя и не всегда однозначно) определить пространственную группу симметрии кристалла.

Зная С. ф. для всех дифракц. отражений h, k, l, можно построить распределение электронной плотности (электростатич. потенциала или спиновой плотности) кристалла, что служит теор. основой структурного анализа кристаллов.

• См. лит. при ст. Рентгеновский структурный анализ, Дифракция рентгеновских лучей, Электронография, Нейтронография.

А. В. Колпаков.